IGBT到底是啥?
1. IGBT简介
IGBT,全称绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一个结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)特点的复合器件。IGBT既不是纯粹的MOSFET,也不是纯粹的BJT,而是两者的优势融合。IGBT通过MOSFET的栅极电压控制BJT的导通与关断,从而实现了高输入阻抗和大电流的特点。MOSFET的栅极电压控制提供了低驱动功率,而BJT的双载流子特性则实现了低导通压降。
2. 传统MOSFET

虽然Power MOSFET能够实现大功率要求,但它仍然有其固有的缺点,如源、栅、漏三端都在表面,导致漏极与源极需要较大的间距。而IGBT的出现,正是为了克服这些缺点,提供更高效、更可靠的解决方案。
3. IGBT结构与原理

1)IGBT的基本结构
4. IGBT新技术
实验证明,采用阳极短接技术的IGBT可以提高饱和电流并降低饱和压降约12%。这为高功率应用提供了更为高效和经济的解决方案。
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